检测报告图片模板：
检测执行标准信息一览：
标准简介：本标准规定了用直排四探针方法测量硅单晶片径向电阻率变化的方法。本标准适用于硅片厚度小于探针平均间距。
标准号：GB/T 11073-1989
标准名称：硅片径向电阻率变化的测量方法
英文名称：Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
标准状态：作废
发布日期：1989-03-31
实施日期：1990-02-01
中国标准分类号（CCS）：冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法
国际标准分类号（ICS）：29.040.30
替代以下标准：被GB/T 11073-2007替代
起草单位：峨嵋半导体材料研究所
归口单位：中国有色金属工业协会
发布单位：国家技术监督局
检测流程步骤
免责声明：
1.本站标准库为非营利性质，仅供各行人士相互交流、学习使用，使用标准请以正式出版的标准版本为准。
2.全部标准资料均来源于网络，不保证文件的准确性和完整性，如因使用文件造成损失，本站不承担任何责任。
3.全部标准资料均来源于网络，本站不承担任何技术及版权问题，如有相关内容侵权，请联系我们删除。
