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检测执行标准信息一览：
标准编号：GB/T 4058-2009硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
标准状态：现行
标准简介：本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
英文名称： Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
替代情况： 替代GB/T 4058-1995
中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料
发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期： 2009-10-30
实施日期： 2010-06-01
*发日期： 1983-12-20
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
检测流程步骤
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