检测报告图片模板：
检测执行标准信息一览：
标准编号：GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法
标准状态：现行
标准简介：本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω·cm 的p型硅片及电阻率高于1Ω·cm 的n型硅片中代位碳原子含量的测定,对于精密度要求不高的硅片,可以测量电阻率大于0.1Ω·cm 的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置,因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定,但其晶粒界间区的碳同样不能测定。
英文名称： Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
替代情况： 替代GB/T 1558-1997
中标分类： 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
ICS分类： 电气工程>>29.045半导体材料
采标情况： MOD SEMI MF 1391-0704
发布部门： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期： 2009-10-30
实施日期： 2010-06-01
*发日期： 1979-05-26
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
检测流程步骤
免责声明：
1.本站标准库为非营利性质，仅供各行人士相互交流、学习使用，使用标准请以正式出版的标准版本为准。
2.全部标准资料均来源于网络，不保证文件的准确性和完整性，如因使用文件造成损失，本站不承担任何责任。
3.全部标准资料均来源于网络，本站不承担任何技术及版权问题，如有相关内容侵权，请联系我们删除。
