- N +

GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定

检测报告图片模板:

检测报告图片

检测执行标准信息一览:

标准编号:GB/T 14141-2009硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

标准状态:现行

标准简介:本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于15.9mm 的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2μm 的薄层,方块电阻的测量范围为10Ω~5000Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量,但其测量*度尚未评估。

英文名称: Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array

替代情况: 替代GB/T 14141-1993

中标分类: 冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合

ICS分类: 电气工程>>29.045半导体材料

发布部门: 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会

发布日期: 2009-10-30

实施日期: 2010-06-01

*发日期: 1993-02-06

提出单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)

检测流程步骤

检测流程步骤

免责声明:

1.本站标准库为非营利性质,仅供各行人士相互交流、学习使用,使用标准请以正式出版的标准版本为准。

2.全部标准资料均来源于网络,不保证文件的准确性和完整性,如因使用文件造成损失,本站不承担任何责任。

3.全部标准资料均来源于网络,本站不承担任何技术及版权问题,如有相关内容侵权,请联系我们删除。

返回列表
上一篇:GB/T 4701.1-2009钛铁 钛含量的测定 硫酸铁铵滴定法
下一篇:GB/T 1558-2009硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法