SJ 20013-1992《半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》基本信息

标准号：

SJ 20013-1992

中文名称：

《半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》

发布日期：

1992-02-01

实施日期：

1992-05-01

发布部门：

中国电子工业总公司

提出单位：

中国电子工业总公司科技质量局

归口单位：

中国电子技术标准化研究所

起草单位：

中国电子技术标准化研究所

起草人：

王长福、吴志龙、张宗国、刘美英

中国标准分类号：

A01技术管理

SJ 20013-1992《半导体分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ级ＣＳ１０型硅Ｎ沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》介绍

SJ 20013-1992《半导体分立器件 GP、GT和GCT级CS10型硅N沟道耗尽型场效应晶体管详细规范》是中国电子工业总公司于1992年2月1日发布的一项重要标准。自1992年5月1日起，该标准正式实施。

一、标准内容

1、产品分类

标准将硅N沟道耗尽型场效应晶体管分为GP、GT和GCT三个等级，以满足不同应用场景的需求。

2、技术要求

标准对硅N沟道耗尽型场效应晶体管的技术要求进行了严格规定，包括器件的电气特性、温度特性、机械特性等。电气特性主要包括器件的漏电流、输入电容、输入电阻、输出电阻、开关速度等参数。温度特性主要涉及器件在不同温度范围内的工作性能，以确保器件在各种环境条件下的可靠性。机械特性包括器件的尺寸、重量、封装形式等，以满足不同安装和使用需求。

3、测试方法

标准规定了硅N沟道耗尽型场效应晶体管的测试方法，包括电气特性测试、温度特性测试和机械特性测试等，以确保产品符合技术要求。

4、检验规则

标准对硅N沟道耗尽型场效应晶体管的检验规则进行了规定，包括出厂检验、型式检验和周期检验等，以确保产品质量。

5、标志、包装、运输和贮存

标准对硅N沟道耗尽型场效应晶体管的标志、包装、运输和贮存也进行了详细规定，以保证产品在流通过程中的完整性和安全性。

二、标准的意义

SJ 20013-1992标准的制定和实施，对于规范半导体分立器件的生产和应用、提高产品质量、促进行业发展具有重要意义。通过严格执行该标准，相关企业可以生产出更高质量、更可靠的硅N沟道耗尽型场效应晶体管产品，满足市场需求，提升竞争力。

检测流程步骤

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