双向可控硅检测报告如何办理？测试哪些项目呢？检测费用价格是多少呢？下面小编为您解答。百检也可依据相应双向可控硅检测标准或者根据您的需求设计检测方案。做检测，上百检！我们只做真实检测。

检测周期

一般3-15个工作日，可加急。

检测方式

可寄样检测、目测检测、见证试验、现场检测等。

检测费用

具体根据双向可控硅检测检测数量和项目而定。详情请咨询在线客服。

检测产品

0双向可控硅简介

“双向可控硅”：是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反*性并联的可控硅，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。

1双向可控硅产品命名

双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端：TRIode(取前三个字母)

交流半导体开关：ACsemiconductorswitch(取前两个字母)

以上两组名词组合成“TRIAC”

中文译意“三端双向可控硅开关”。

三端双向可控硅

由此可见“TRIAC”是双向可控硅的统称。

双　向：Bi-directional(取*个字母)

控　制：Controlled(取*个字母)

整流器：Rectifier(取*个字母)

再由这三组英文名词的*字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

双　向：Bi-directional(取*个字母)

三　端：Triode(取*个字母)

由以上两组单词组合成“BT”，也是对双向可控硅产品的型号命名，典型的生产商如：意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司，均以此来命名双向可控硅。

代表型号如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。这些都是四象限/非绝缘型/双向可控硅；

Philips公司的产品型号前缀为“BTA”字头的，通常是指三象限的双向可控硅。

而意法ST公司，则以“BT”字母为前缀来命名元件的型号并且在“BT”后加“A”或“B”来表示绝缘与非绝缘组合成：“BTA”、“BTB”系列的双向可控硅型号，如：

三象限/绝缘型/双向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；

四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；

ST公司所有产品型号的后缀字母(型号较后一个字母)带“W”的，均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。

至于型号后缀字母的触发电流，各个厂家的代表含义如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，

型号没有后缀字母之触发电流，通常为25-35mA；

PHILIPS公司的触发电流代表字母没有统一的定义，以产品的封装不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上触发电流均有一个上下起始误差范围，产品PDF文件中均有详细说明

一般分为较小值/典型值/较大值，而非“=”一个参数值。

2双向可控硅特点及应用

双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电*T1和T2， 一个门*G， 门*使器件在主电*的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门*加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。

·耐压级别的选择： 通常把VDRM(断态重复峰值电压)和 VR R M(反向重复峰值电压)中较小的值标作该器件的额定电压。 选用时，额定电压应为正常工作峰值电压的2~3倍，作为允许的操作过电压裕量。

·电流的确定： 由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时， 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。

·通态(峰值)电压 VT M 的选择： 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VT M 小的可控硅。

·维持电流： IH 是维持可控硅保持通态所必需的较小主电流，它与结温有关，结温越高， 则 IH 越小。

·电压上升率的抵制： dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。

3双向可控硅安装

对负载小，或电流持续时间短(小于1 秒钟)的双向可控硅， 可在自由空间工作。 但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。

双向可控硅固定到散热器的主要方法有三种，夹子压接、螺栓固定和铆接。前二种方法的安装工具很容易取得。 很多场合下，铆接不是一种推荐的方法。

夹子压接：是推荐的方法，热阻较小。夹子对器件的塑封施加压力。这同样适用于非绝缘封装（sot82 和sot78 ） 和绝缘封装（ sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack）。注意，sot78 就是to220ab。

螺栓固定：sot78 组件带有m3 成套安装零件，包括矩形垫圈，垫圈放在螺栓头和接头片之间。应该不对器件的塑料体施加任何力量。

安装过程中，螺丝刀决不能对器件塑料体施加任何力量；和接头片接触的散热器表面应处理，保证平坦，10mm上允许偏差0.02mm；安装力矩（带垫圈）应在0.55nm 和0.8nm 之间；应避免使用自攻丝螺钉，因为挤压可能导致安装孔周围的隆起，影响器件和散热器之间的热接触。安装力矩无法控制，也是这种安装方法的缺点；器件应*先机械固定，然后焊接引线。这可减少引线的不适当应力。

4双向可控硅参数符号

IT(AV)--通态平均电流

VRRM--反向反复峰值电压

IDRM--断态重复峰值电流

ITSM--通态一个周波不反复浪涌电流

VTM--通态峰值电压

IGT--门*触发电流

VGT--门*触发电压

IH--维持电流

dv/dt--断态电压临界上升率

di/dt--通态电流临界上升率

Rthjc--结壳热阻

VISO--模块绝缘电压

Tjm--额定结温

VDRM--断态重复峰值电压

IRRM--反向重复峰值电流

IF(AV)--正向平均电流

5双向可控硅元件简介

一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似

双向可控硅

于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅较初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅

”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。

可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。

可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应*快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。

可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。

6双向可控硅产品分类

可控硅有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门*关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。

TY300/TY301可控硅调压单元

（二）按引脚和*性分类：可控硅按其引脚和*性可分为二*可控硅、三*可控硅和四*可控硅。

（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。

(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。

7双向可控硅封装形式

常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

8双向可控硅构造原理

尽管从形式上可将双向可控硅看成两只普通可控硅的组合，但实际上它是由7只晶体管和多只电阻构成的功率集成器件。小功率双向可控硅一般采用塑料封装，有的还带散热板。典型产品有BCMlAM(1A/600V)、BCM3AM(3A/600V)、2N6075(4A/600V)，MAC218-10(8A/800V)等。大功率双向可

双向可控硅

控硅大多采用RD91型封装。

双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电*分别是T1、T2、G。因该器件可以双向导通，故除门*G以外的两个电*统称为主端子，用T1、T2表示，不再划分成阳*或阴*。其特点是，当G*和T2*相对于T1，的电压均为正时，T2是阳*，T1是阴*。反之，当G*和T2*相对于T1的电压均为负时，T1变成阳*，T2为阴*。双向可控硅由于正、反向特性曲线具有对称性，所以它可在任何一个方向导通。

9双向可控硅产品特性

双向可控硅*阳*A1与第二阳*A2间，无论所加电压*性是正向还是反向，只要控制*G和*阳*A1间加有正负*性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当*阳*A1、第二阳*A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压*性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

10双向可控硅触发电路

将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将控制板与本触发电路连接，就组成了

双向可控硅

一个简单实用的大功率无级调速电路。这个电路的独特之处在于可控硅控制*不需外加电源，只要将负载与本电路串联后接通电源，两个控制*与各自的阴*之间便有5V~8V脉动直流电压产生，调节电位器R2即可改变两只可控硅的导通角，增大R2的阻值到一定程度,便可使两个主可控硅阻断，因此R2还可起开关的作用。该电路的另一个特点是两只主可控硅交替导通，一个的正向压降就是另一个的反向压降，因此不存在反向击穿问题。但当外加电压瞬时超过阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通程度由电位器R2决定。SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。

SCR1、SCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增加R4，C3阻容吸收电路及压敏电阻RV作过压保护，防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅。

11双向可控硅工作原理

1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。

当阳*A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制*G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电*电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电*直接与BG1的基*相连，所以ib1=ic。

2.此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电*电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基*，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。

由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制*G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下：

A、从关断到导通1、阳*电位高于是阴*电位，2、控制*有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。

B、维持导通1、阳*电位高于阴*电位，2、阳*电流大于维持电流，两者缺一不可。

C、从导通到关断1、阳*电位低于阴*电位，2、阳*电流小于维持电流，任一条件即可。

触发导通

在控制*G上加入正向电压时因J3正偏，P2区的空穴时入N2区，N2区的电子进入P2区，形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用的基础上，加上IGT的作用，使可控硅提前导通，导致伏安特性OA段左移，IGT越大，特性左移越快。

12双向可控硅产品判别

双向可控硅等效于两只单向可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳*与另一只阴*相边连，其引出端称T1*，其中一只单向硅阴*与另一只阳*相连，其引出端称T2*，剩下则为控制*（G）。

1、单、双向可控硅的判别：先任测两个*，若正、反测指针均不动（R×1挡）

，可能是A、K或G、A*（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G*（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K*，黑笔接的为G*，剩下即为A*。若正、反向测指示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G*，黑笔所接为T1*，余下是T2*。

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K*，黑笔同时接通G、A*，在保持黑笔不脱离A*状态下断开G*，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A*再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1*，黑笔同时接G、T2*，在保证黑笔不脱离T2*的前提下断开G*，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A*或T2*时断开G*，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。

对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。

13双向可控硅测量方法

带3伏电池的指针万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为*阳*A1和控制*G，另一空脚即为第二阳*A2。确定A1、G*后，再仔细测量A1、G*间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为*阳*A1，红表笔所接引脚为控制*G。将黑表笔接已确定的第二阳*A2，红表笔接*阳*A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G*瞬间短接，给G*加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳*A2，黑表笔接*阳*A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G*间再次瞬间短接，给G*加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G*间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚*性判断正确。

检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以提高触发电压。

参数符号

IT(AV)--通态平均电流	VDRM--通态重复峰值电压
VRRM--反向重复峰值电压	IRRM--反向重复峰值电流
IDRM--断态重复峰值电流	IF(AV)--正向平均电流
VTM--通态峰值电压	Tjm--额定结温
VGT--门*触发电压	VISO--模块绝缘电压
IH--维持电流	Rthjc--结壳热阻
IGT--门*触发电流	di/dt--通态电流临界上升率
ITSM--通态一个周波不重复浪涌电流	dv/dt--断态电压临界上升率

14双向可控硅伏安特性

15双向可控硅检测方法

DIP4管脚型ZC三端双向可控硅光电耦合器

利用万用表RXl档判定双向可控硅电*的方法，同时还检查触发能力。

判定T2*

G*与T1*靠近，距T2*较远。因此，G—T1之间的正、反向电阻都很小。在肦Xl档测任意两脚之间的电阻时，只有在G-T1之间呈现低阻，正、反向电阻仅几十欧，而T2-G、T2-T1之间的正、反向电阻均为无穷大。这表明，如果测出某脚和其他两脚都不通，就肯定是T2*。另外，采用TO—220封装的双向可控硅，T2*通常与小散热板连通，据此亦可确定T2*。

区分G*和T1*

(1)找出T2*之后，*先假定剩下两脚中某一脚为Tl*，另一脚为G*。

(2)把黑表笔接T1*，红表笔接T2*，电阻为无穷大。接着用红表笔尖把T2与G短路，给G*加上负触发信号，电阻值应为十欧左右，证明管子已经导通，导通方向为T1一T2。再将红表笔尖与G*脱开(但仍接T2)，若电阻值保持不变，证明管子在触发之后能维持导通状态。

16双向可控硅黄金规则

规则1.为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门*电流≧IGT，直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足，并按可能遇到的较低温度考虑。

规则2.要断开（切换）闸流管（或双向可控硅）。

规则3.设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。规则4.为减少杂波吸收，门*连线长度降至较低。返回线直接连至MT1（或阴*）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门*和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门*间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。

规则5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。

规则6.假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。

规则7.选用好的门*触发电路，避开3象限工况，可以较大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。

规则8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上较好串联一个几μH的无铁芯电感，或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。

规则9.器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

规则10.为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的较高环境温度。

17双向可控硅典型应用

双向晶闸管可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交

接近开关电路

流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和

固态接触器电路中。图5是由双向晶闸管构成的接近开关电路。R为门*限流电阻，JAG为干式舌簧管。平时

JAG断开，双向晶闸管TRIAC也关断。仅当小磁铁移近时JAG吸合，使双向晶闸管导通，将负载电源接通。由于通过干簧管的电流很小，时间仅几微秒，所以开关的寿命很长。

现在可控硅应用市场相当广阔，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及

家电等方面都有可控硅的身影。许先生告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单，可见可控硅在人们的生活中都有广泛的应用。更重要的是，可控硅应用相当稳定，比方说用于家电产品中的电子开关，可以说是鲜少变化的。无论其他的元件怎么变化，可控硅的变化是不大的，这相对来说，等于扩大的可控硅的应用市场，减少了投资的风险。随着消费类电子产品的热销，更为可控硅提供了销售空间。 推出两款可优化消费电子产品性能的新型标准三端双向可控硅开关元件，这两种三端双向可控硅开关采用先进的平面硅结构设计，具有很高的可靠性，加上在导通状态下的损耗较多仅为1.5V，因而可达致高效率。这两种产品的目标应用领域包括：洗衣机、吸尘器、调光器、遥控开关和交流电机控制设备。

过零触发型交流固态继电器(AC-SSR)的内部电路。主要包括输入电路、光电耦合器、过零触发电路、开关电路(包括双向晶闸管)、保护电路(RC吸收网络)。当加上输入信号VI(一般为高电平)、并且交流负载电源电压通过零点时，双向晶闸管被触发，将负载电源接通。固态继电器具有驱动功率小、无触点、噪音低、抗干扰能力强，吸合、释放时间短、寿命长，能与TTLCMOS电路兼容，可取代传统的电磁继电器。

双向可控硅可广泛用于工业、交通、家用电器等领域，实现交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光、舞台调光等多种功能，它还被用于固态继电器(SSR)和固态接触器电路中。

18双向可控硅产品区别

可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。

单向可控硅和双向可控硅，都是三个电*。单向可控硅有阴*（K）、阳*（A）、控制*（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳*与另一只阴*相边连，其引出端称T1*，其中一只单向硅阴*与另一只阳*相连，其引出端称T2*，剩下则为控制*（G）。

单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二*管相比，单向可控硅正向导通受控制*电流控制；与具有两个PN结的三*管相比，差别在于可控硅对控制*电流没有放大作用。

双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电*的半导体器件。由于主电*的构造是对称的（都从N层引出），所以它的电*不像单向可控硅那样分别叫阳*和阴*，而是把与控制*相近的叫做*电*A1，另一个叫做第二电*A2。双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时，硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置，必须采取相应的保护措施。双向可控硅元件主要用于交流控制电路，如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。

19双向可控硅注意事项

交流调压多采用双向可控硅，它具有体积小、重量轻、效率高和使用方便等优点，对提高生产效率和降低成本等都有显著效果，但它也具有过载和抗干扰能力差，且在控制大电感负载时会干扰电网和自干扰等缺点，下面谈谈可控硅在其使用中如何避免上述问题。

1：灵敏度

双向可控硅是一个三端元件，但我们不再称其两*为阴阳*，而是称

双向可控硅

作T1和T2*，G为控制*，其控制*上所加电压无论为正向触发脉冲或负向触发脉冲均可使控制*导通，四种条件下双向可控硅均可被触发导通，但是触发灵敏度互不相同，即保证双向可控硅能进入导通状态的较小门*电流IGT是有区别的，其中(a)触发灵敏度较高，(b)触发灵敏度较低，为了保证触发同时又要尽量限制门*电流，应选择(c)或(d)的触发方式。

2：可控硅过载的保护

可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制*将不起作用；(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按较大电流的1.5～2倍来取；(3)为保证控制*可靠触发，加到控制*的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。

3：控制大电感负载时的干扰电网和自干扰的避免

可控硅元件控制大电感负载时会有干扰电网和自干扰的现象，其原因是当可控硅元件控制一个连接电感性负载的电路断开或闭合时，其线圈中的电流通路被切断，其变化率*大，因此在电感上产生一个高电压，这个电压通过电源的内阻加在开关触点的两端，然后感应电压一次次放电直到感应电压低于放电所必须的电压为止，在这一过程中将产生*大的脉冲束。这些脉冲束叠加在供电电压上，并且把干扰传给供电线或以辐射形式传向周围空间，这种脉冲具有很高的幅度，很宽的频率，因而具有感性负载的开关点是一个很强的噪声源。

3.1：为防止或减小噪声，对于移相控制式交流调压一般的处理方法有电感电容滤波电路，阻容阻尼电路和双向二*管阻尼电路及其它电路。

3.2：电感电容滤波电路，由电感电容构成谐振回路，其低通截止频率为f=1/2π

双向可控硅

Ic，一般取数十千赫低频率。

3.3：双向二*管阻尼电路。由于二*管是反向串联的，所以它对输入信号*性不敏感。当负载被电源激励时，抑制电路对负载无影响。当电感负载线圈中电流被切断时，则在抑制电路中有瞬态电流流过，因此就避免了感应电压通过开关接点放电，也就减小了噪声，但是要求二*管的反向电压应比可能出现的任何瞬态电压高。另一个是额定电流值要符合电路要求。

3.4：电阻电容阻尼电路，利用电容电压不能突变的特性吸收可控硅换向时产生的尖峰状过电压，把它限制在允许范围内。串接电阻是在可控硅阻断时防止电容和电感振荡，起阻尼作用，另外阻容电路还具有加速可控硅导通的作用。

3.5：另外一种防止或减小噪声的方法是利用通断比控制交流调压方式，其原理是采用过零触发电路，在电源电压过零时就控制双向可控硅导通和截止，即控制角为零，这样在负载上得到一个完整的正弦波，但其缺点是适用于时间常数比通断周期大的系统，如恒温器。

20双向可控硅保护措施

晶闸管元件的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致晶闸管的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。

1. 过电流保护

晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种：

快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在晶闸管损坏前先溶断，从而保护了晶闸管。

过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作晶闸管的过载保护。

过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移，或使晶闸管得导通角减小，或干脆停止触发保护晶闸管。

2. 过电压保护

过电压可能导致晶闸管的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施

阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后，接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式，其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性，把过电压的能量变成电场能量储存在电场中，并利用电阻把这部分能量消耗掉。

21双向可控硅参考资料

1.徐长*, 王峰, 苏艳岩, 等．双向可控硅的设计及应用：电子产品世界，2008

以上双向可控硅检测相关信息，仅供参考，百检为您提供一站式的检测服务，包括：食品、环境、医疗、建材、电子、化工、汽车、家居、母婴、玩具、箱包、水质、化妆品、纺织品、日化品、农产品等。更多检测问题请咨询在线客服。

检测流程步骤

温馨提示：以上内容仅供参考使用，更多检测需求请咨询客服。本页面价格仅供参考，不是实际检测费用报价，实际报价请致电公司咨询；因实际检测服务涉及到相关标准和具体项目，故费用差异交大，实际价格需要根据客户需求来确定；服务说明：检测服务必须以公司抬头签订合同。