检测报告模板
检测报告图片模板
检测项目及执行标准一览表
| 序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 温升和耗散功率 |
| 2 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 约定不熔断电流 |
| 3 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 约定熔断电流 |
| 4 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 约定电缆过载保护 |
| 5 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 过载能力验证 |
| 6 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016IEC60269-4：2012 | 半导体设备保护用熔断器 | 额定电流验证 |
| 7 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.7 | 半导体设备保护用熔断器 | I²t特性和过电流选择性验证 |
| 8 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.7 | 半导体设备保护用熔断器 | I²t特性和过电流选择性验证 |
| 9 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T13539.4-2016IEC 60269-4:2012 8.5 | 半导体设备保护用熔断器 | 分断能力验证 |
| 10 | 低压熔断器 第4部分：半导体设备保护用熔断体的补充要求 IEC60269-4:2009+A1:2012+A2:2016, EN60269-4:2009+A1:2012+A2:2016 8.5 | 半导体设备保护用熔断器 | 分断能力验证 |
检测时间周期
一般3-10天出报告，有的项目1天出报告，具体根据半导体设备保护用熔断器检测项目而定。
检测报告有效期
一般半导体设备保护用熔断器检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。检测报告上不会标注有效期。
检测流程步骤
1、电话沟通、确认需求；
2、推荐方案、确认报价；
3、邮寄样品、安排检测；
4、进度跟踪、结果反馈；
5、出具报告、售后服务；
6、如需加急、优先处理；
温馨提示：以上关于《半导体设备保护用熔断器检测》内容仅为部分列举供参考使用，百检汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构遍布全国，更多检测需求请咨询客服。
