检测报告图片

检测报告有效期

检测报告上不会标注有效期。一般硅片检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。

检测范围

硅片

检测项目

色差，厚度，机械强度，表面质量检测，晶圆检测，寿命评估等。

国标参考

GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻检测方法 非接触涡流法

GB/T 6617-2009硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

GB/T 6618-2009硅片厚度和总厚度变化检测方法

GB/T 6619-2009硅片弯曲度检测方法

GB/T 6620-2009硅片翘曲度非接触式检测方法

GB/T 6621-2009硅片表面平整度检测方法

GB/T 11073-2007硅片径向电阻率变化的测量方法

GB/T 12965-2018硅单晶切割片和研磨片

GB/T 13388-2009硅片参考面结晶学取向X射线检测方法

GB/T 14140-2009硅片直径测量方法

行标参考

JC/T 2065-2011太阳能电池硅片用石英舟

JC/T 2066-2011太阳能电池硅片用石英玻璃扩散管

SJ/T 11552-2015以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

SJ/T 11627-2016太阳能电池用硅片电阻率在线检测方法

SJ/T 11628-2016太阳能电池用硅片尺寸及电学表征在线检测方法

SJ/T 11629-2016太阳能电池用硅片和电池片的在线光致发光分析方法

SJ/T 11630-2016太阳能电池用硅片几何尺寸检测方法

SJ/T 11631-2016太阳能电池用硅片外观缺陷检测方法

SJ/T 11632-2016太阳能电池用硅片微裂纹缺陷的检测方法

SJ 20636-1997IC用大直径薄硅片的氧、碳含量微区试验方法

国际标准参考

BS ISO 14706-2000表面化学分析 用全反射X射线荧光(TXRF)分光术测定硅片的表面基本污染

BS ISO 14706-2000(R2007)表面化学分析 用全反射X射线荧光(TXRF)分光术测定硅片的表面基本污染

DIN 50441-4-1999半导体工艺用材料的检验.半导体圆片几何尺寸的测量.第4部分:硅片尺寸,直径、偏差、平面直径、平面长度、平面涤度

DIN 50441-5-2001半导体技术材料的检验.硅片几何尺寸的测定.第5部分:形状和平整度偏差术语

ISO 17331 AMD 1-2010表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素的化学方法及其通过全反射X射线荧光光谱(TXRF)的测定

ISO 17331-2004表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素和化学方法及其通过总反射X射线荧光(TXRF)分光光度法的测定

ISO 17331-2004/Amd 1-2010表面化学分析 从硅片加工基准材料的表面上收集元素的化学方法及其通过全反射X射线荧光光谱(TXRF)的测定

JIS H0602-1995硅单晶及硅片电阻率测定方法-四探针法

JIS H0613-1978硅片及磨光硅片的外观检查

JIS H0614-1996镜面硅片外观检查

检测流程步骤

温馨提示：《硅片检测》内容仅为部分列举供参考使用，百检网汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构遍布全国，更多检测需求请咨询客服。