检测报告图片
检测报告有效期
检测报告上不会标注有效期。一般单晶硅检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。
检测样品
单晶硅
检测项目
芯片外观,纯度检测,电阻率检测,寿命检测,含量检测等。
国标参考
GB/T 6492-1986航天用标准太阳电池
GB/T 6494-2017航天用太阳电池电性能检测方法
GB/T 6496-2017航天用太阳电池标定方法
GB/T 14015-1992硅-兰宝石外延片
GB/T 20176-2006表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度
GB/T 29054-2019太阳能电池用铸造多晶硅块
GB/T 29055-2019太阳能电池用多晶硅片
GB/T 29057-2012用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29195-2012地面用晶体硅太阳电池总规范
GB/T 32277-2015硅的仪器中子活化分析检测方法
行标参考
JC/T 1048-2018单晶硅生长用石英坩埚
JC/T 2515-2019硅粉输送用陶瓷球阀 技术条件
SJ/T 11775-2021半导体材料多线切割机
SJ/T 11776-2021谐波保护器
国际标准参考
DIN 50434-1986半导体材料的检验; 单晶硅试样的(111) 和(100) 蚀面上晶体结构缺陷的测定
DIN 50443-1-1988半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
DIN 50443-2-1994半导体工艺材料检验;用X射线粘扑法证明半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性.Ⅲ-V-连接半导体
DIN 50453-1-1990半导体技术用材料的检验;腐蚀剂腐蚀率的测定;单晶硅,重量法
GOST 19658-1981单晶硅锭 技术条件
GOST 24392-1980单晶硅和单晶锗 电阻率的四探针测定法
KS D0256-2002单晶硅的依据4探针的抵抗率测定法
检测流程步骤
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