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检测报告有效期

检测报告上不会标注有效期。一般芯片失效分析检测报告上会标注实验室收到样品的时间、出具报告的时间。

检测标准：

GJB 548B-2005

芯片失效分析方法：

01.OM显微镜观测，外观分析

02.C-SAM/SAT（超声波扫描显微镜）

（1）材料内部的晶格结构，杂质颗粒，夹杂物，沉淀物。

（2）内部裂纹。

（3）分层缺陷。

（4）空洞，气泡，空隙等。

03.无损检测，X——Ray检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。（这几种是芯片发生失效后*先使用的非破坏性分析手段），其中有2DX-Ray和3DX-Ray。

04.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸）。

05.取die，开封使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部结构暴露。

06.OBIRCH/EMMI（微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试）/Thermal热点侦测（这三者属于常用漏电流路径分析手段，寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）

07.切割制样：使用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行。

08.去层：使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层观察下层结构，可利用研磨机进行研磨去层。

09.FIB做一些电路修改，切点观察。

10.Probe Station探针台/Probing Test探针测试。

11.ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。

除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM，二次离子质谱SIMS，飞行时间质谱TOF-SIMS，透射电镜TEM，场发射电镜，场发射扫描俄歇探针，X光电子能谱XPS，L-I-V测试系统，能量损失X光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。

检测流程步骤

温馨提示：《芯片失效分析检测》内容仅为部分列举供参考使用，百检汇集众多CNAS、CMA、CAL等资质的检测机构遍布全国，更多检测需求请咨询客服。